Тонкопленочные магниторезистивные датчики магнитного поля
Назначение магниторезистивных датчиков
Магниторезистивные датчики предназначены для использования в системах визуализации магнитных полей (магнитные сканеры) и автоматизированных установках для неразрушающего контроля нефтегазопроводных труб в процессе их изготовления и при эксплуатации.
Принцип действия и конструкция
Принцип действия основан на магниторезистивном эффекте в тонких пленках.
Конструктивно магниторезистивные датчики представляют собой полумостовые и мостовые схемы из четырёх магниторезисторов, напылённых на одной подложке.
Различают датчики, предназначенные для работы в горизонтальной плоскости (или плоскости, касательной к поверхности трубы), рис. 1 и датчики, предназначенные для работы в вертикальной плоскости, рис 2.
| Рис. 1 | Рис. 2 |
 |
 |
Технические характеристики магнитнорезистивных датчиков
Магниторезистивные датчики 1
| Диапазон измеряемых полей, А/см | 0,1 - 100 |
| Магнитная чувствительность, B/Тл | 100 |
| Напряжение питания (Uп), В | 1 - 3 |
| Ток возбуждения, мА | 5 - 50 |
| Диапазон рабочих температур, 0С | -40 - +125 |
| Сопротивление полумоста, Ом | 60 |
| Размер одиночного магниторезистора, мм | 0,2 х 4 |
| Расстояние между магниторезисторами, мм | 2 |
| Габариты пластины, мм |
A=10, B=6, H=2 |
Магниторезистивные датчики 2
| Диапазон измеряемых полей, А/см | 0,1 - 100 |
| Магнитная чувствительность, B/Тл | 100 |
| Напряжение питания (Uп), В | 1 - 3 |
| Ток возбуждения, мА | 5 - 10 |
| Диапазон рабочих температур, 0С | -40 - +125 |
| Сопротивление полумоста, Ом | 300 |
| Размер одиночного магниторезистора, мм | 0,1 - 2 |
| Расстояние между магниторезисторами, мм | 2 |
| Габариты пластины, мм |
A=10, B=20, H=2 |